مقامات شركت سامسونگ الكترونیك از آغاز تولید انبوه تراشه‌‏های NAND ، 16 گیگا بایتی كه تحت فناوری 51 نانومتری ساخته شده‌‏اند خبر دادند.

مقامات شركت سامسونگ معتقدند؛ پس تولید انبوه تراشه‌‏های NAND 80 گیگا بایتی مبتنی بر فناوری 60 نانومتری در ماه آگوست سال 2006، اكنون تولید سری جدید تراشه‌‏های NAND 16 گیگا بایتی نقطه عطف دیگری در تاریخ فعالیت تولید تراشه شركت سامسونگ است.

تراشه‌‏های سری جدید NAND ، 60 درصد بیشتر از تراشه‌‏های پیشین شركت سامسونگ كه مبتنی بر فناوری 60 نانومتری بودند كارآمدتر است و سرعت خواندن و نوشتن این تراشه‌‏ها حدود 80 درصد بیشتر از سرعت پردازش اطلاعات MLC های كنونی است.

طبق گزارش شركت سامسونگ، سرعت خواندن اطلاعات در تراشه‌‏های NAND 60 نانومتری برابر با 17 مگابایت در ثانیه است؛ اما این میزان در تراشه‌‏های فلش NAND ؛ 51 نانومتری، 30 مگابایت در ثانیه است.

همچنین، سرعت نوشتن اطلاعات در تراشه‌‏های جدید 8 مگابایت در ثانیه ارزیابی شده كه این قم در تراشه‌‏های پیشین 4/4 مگابایت بوده است.

• مرجع: ICTIr.NET